RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Compara
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
37
Velocidad de lectura, GB/s
7.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2512
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link