RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Compara
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Puntuación global
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
77
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
77
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2526
1440
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link