RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Compara
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Puntuación global
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1936
3211
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link