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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Compara
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,769.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,482.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,769.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3001
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
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