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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Compara
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
3221
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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