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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
3075
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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