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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Compara
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2320
2679
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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