RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
73
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2320
1724
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link