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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
50
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
50
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2128
2512
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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