RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2063
2124
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link