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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2063
2585
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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