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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
75
En -317% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
3575
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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