RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
75
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,036.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
71
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
1757
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link