RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
75
En -127% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2973
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link