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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Compara
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
72
En -89% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
4.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
2.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
38
Velocidad de lectura, GB/s
4.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2.9
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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