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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
72
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
4.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
2.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
36
Velocidad de lectura, GB/s
4.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
2569
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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