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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2672
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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