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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2324
2782
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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