RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
42
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
40
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
2362
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link