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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
2616
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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