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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
2605
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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