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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
3188
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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