RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
73
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
1843
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 7200LL Series 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link