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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Compara
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2039
3503
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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