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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2039
2821
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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