RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2039
3004
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link