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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2123
2608
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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