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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2123
2666
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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