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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2123
3004
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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