RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Compara
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
71
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2233
1902
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link