RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2382
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link