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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2148
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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