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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
41
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3427
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
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