RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Compara
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
91
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
4.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
91
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
4.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1995
1214
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link