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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1995
2394
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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