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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
45
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1995
2036
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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