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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Compara
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1995
1989
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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