RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
3208
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link