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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
2126
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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