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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
45
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
1499
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
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Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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