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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
2468
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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