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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
2173
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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