RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Compara
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
19
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1435
3220
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link