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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2030
2938
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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