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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Compara
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2032
2326
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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