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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2032
2786
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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