RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1954
3587
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link