RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Compara
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1954
2356
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link