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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1954
3061
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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