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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1954
2841
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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